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放电参数对微弧氧化陶瓷层性能的影响

发布时间:2021-03-22浏览次数:662

在微弧氧化的过程中,电源的放电波形及其相关的参数对试验的影响也比较大,例如:电压、占空比、电流密度的大小,频率的高低以及交流或直流的不同都对试验后的膜层性能有影响,而且这些参数还对试验过程中的能耗大小有一定的影响。

一般来说,电压越高,微弧氧化后的膜层厚度越大,但同时膜层的光滑性和致密性却有所降低;如果施加过低的电压,则氧化膜会很难生成,或者生成的膜层根本无法在工业中得到应用,所以选择合适的电压对膜层的性能很重要,同时它也是影响能耗的最大因素。

在相同的微弧氧化时间内,占空比的增加,导致电流密度的增加,陶瓷膜的厚度和致密层的显微硬度也显著的增加,但是这种增加不是简单的线性关系,氧化膜中致密层的厚度所占的比率是逐渐下降的,致密层增长明显趋于平缓,疏松层的增长速度在加快。随着脉冲频率的增加,膜层厚度下降很快,几乎呈直线下降。致密层的硬度迅速下降。但是随着脉冲频率的增加,致密层所占比率却逐渐升高。

通常情况下,采用直流电源进行微弧氧化试验,膜层厚度要大于采用交流电源的试验,但膜层表面却相对比较粗糙,若采用具有“针尖"效果的脉冲直流,可有效地降低粗糙度。

 


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